特許
J-GLOBAL ID：200903026733143112
冷陰極素子及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
池内 寛幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-092586
公開番号（公開出願番号）：特開平8-212908
出願日： 1995年04月18日
公開日（公表日）： 1996年08月20日
要約：
【要約】【目的】 ダイヤモンドを用いた高効率な冷陰極素子と、それを容易に得ることのできる製造方法を提供する。【構成】 基板素材2である単結晶ダイヤモンドを酸及び純水等で洗浄する。基板素材2の上に、ホウ素をドーピングした低抵抗なp形単結晶ダイヤモンド層(抵抗率:100 Ω・cm以下)をマイクロ波プラズマCVD法によって堆積し、カソード側の導電層3を形成する。導電層3の上に、絶縁体層4として二酸化シリコン膜を堆積し、所望の領域のみの二酸化シリコン膜を除去して導電層3の表面を露出させる。露出した導電層3の上に、マイクロ波プラズマCVD法を用いて単結晶のダイヤモンドを堆積し、ダイヤモンド冷陰極1を形成する。原料ガスとしては、水素で2vol%程度に希釈した一酸化炭素ガスを用いる。気相合成の条件としては、基板温度を700〜750°Cに設定する。
請求項（抜粋）：
カソード側の電極となる導電層と、前記導電層の上に形成された冷陰極部分と、前記冷陰極部分から電子を引き出すための電界を印加する引き出し電極とを備えた冷陰極素子であって、前記冷陰極部分がダイヤモンドからなり、かつ、前記冷陰極部分のうち少なくとも先端部分の形状が多角錘状であることを特徴とする冷陰極素子。
IPC (4件)：
H01J 1/30
, C30B 29/04
, H01J 9/02
, H01J 31/15
