不揮発性メモリの書込み制御方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：中島司朗
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-214434
公開番号（公開出願番号）：特開平7-064867
出願日： 1993年08月30日
公開日（公表日）： 1995年03月10日
要約：

【要約】【目的】不揮発性メモリにおける複数のデータ書込み領域に対する書込制御を行って書込回数制限を回避すると共に、電源がオフされても、事前の書込みデータを復帰させ、継続してデータを書込んでゆくことが可能な不揮発性メモリの書込み制御方法を提供することを目的としている。【構成】書込み回数制限のある不揮発性メモリが、M個のデータ書込領域と、ひとつのデータ書込領域を示すN個のフラグデータを書込むM×N個のフラグデータタ書込領域と、所定組のフラグパターンを有し、ひとつのフラグパターンに対応して、次順のフラグデータ書込領域と、その書込領域への書込フラグデータを有する変換テーブルとを備える一方、データが書込まれた場合に、その時のフラグパターンを読み出して、変換テーブルに基づき、該当する次順のフラグデータ書込領域に、該当するフラグデータを書込むフラグデータ書込み手段と、書込まれたフラグデータ書込領域に対応するデータ書込領域に対して、データを書込むデータ書込手段とを備えたことを特徴とする不揮発性メモリの書込み制御方法。

請求項（抜粋）：

書込み回数に制限のある不揮発性メモリに対して連続してデータを書込む場合の書込み制御方法であって、前記不揮発性メモリが、データを、順に、連続して書込んでゆくために、アドレス指定されたM個のデータ書込領域と、前記M個のデータ書込領域の中のひとつの書込領域を示すN個のフラグデータを、順に、連続して書込んでゆくために、各データ書込領域に対してアドレス指定されたM×N個のフラグデータ書込領域と、前記M×N個のフラグデータ書込領域の全ての書込領域に書き込まれた全フラグデータからなる所定組のフラグパターンを有し、該フラグパターンのひとつに対応して、次順のフラグデータ書込領域及びその書込領域へ書込むべきフラグデータを有する変換テーブルとを備える一方、前記M個のデータ書込領域の中のひとつにデータが書込まれた場合に、その時のフラグパターンを読み出し、前記変換テーブルに基づき、該当する次順のフラグデータ書込領域に対して、該当するフラグデータを書き込むフラグデータ書込み手段と、前記フラグデータ書込み手段により書込まれた次順のフラグデータ書込領域に対応するデータ書込領域に対して、データを書込むデータ書込手段と、を備えたことを特徴とする不揮発性メモリの書込み制御方法。

IPC (4件)：

G06F 12/16 310 , G06F 12/16 340 , G11C 16/06 , G11C 29/00 301

引用特許：

出願人引用 (2件)

電源断復帰装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-304691 出願人：株式会社東芝
特開平3-228298

審査官引用 (1件)

電源断復帰装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-304691 出願人：株式会社東芝

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