特許
J-GLOBAL ID:200903026737890117
SiC結晶成長方法およびSiC半導体装置
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
山口 巖
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-210321
公開番号(公開出願番号):特開平9-052796
出願日: 1995年08月18日
公開日(公表日): 1997年02月25日
要約:
【要約】【課題】α-SiC結晶基板のカーボン面(C面)上に、球状物と円形凹部とを発生させずにエピタキシャル成長させ、その基板を用いて電気的特性の優れた半導体素子を製作する。【解決手段】α-SiC基板をSiCコートしたグラファイトサセプタの上に載せ、水素ガス1SLM塩化水素ガス3sccmの混合ガスを流し、1300°Cに昇温し、α-SiC基板をエッチングし、その後800°Cに降温し水素ガス3SLMと塩化水素ガス10sccmの混合ガスを流し、その後1500°Cに昇温し、エピタキシャル成長用ガスである水素ガス3SLM、SiH4 (シラン)ガス0.3sccm、C3 H8 (プロパン)ガスの混合ガスを所定の時間流し、その後水素ガス3SLM、塩化水素ガス10sccmの混合ガスを流して室温まで冷却する。
請求項(抜粋):
α-SiC結晶基板(以下SiC基板と略す)のカーボン面(C面という)を平滑となるように結晶成長させるために、SiC基板を第一の温度で水素を含むガスでエッチングする第一工程と、第一の温度より高い第二の温度でシリコンと炭素を含むガスでSiCをSiC基板にエピタキシャル成長させる第二工程と、エピタキシャル成長したSiC基板を冷却する第三工程と、を含むことを特徴とするSiC結晶成長方法。
IPC (5件):
C30B 29/36
, C30B 33/12
, H01L 21/205
, C23C 16/42
, H01L 29/872
FI (5件):
C30B 29/36 A
, C30B 33/12
, H01L 21/205
, C23C 16/42
, H01L 29/48 Z
前のページに戻る