特許

J-GLOBAL ID：200903026737890117

SiC結晶成長方法およびSiC半導体装置

発明者： 漆谷 多二男
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-210321
公開番号（公開出願番号）：特開平9-052796
出願日： 1995年08月18日
公開日（公表日）： 1997年02月25日
要約：

【要約】【課題】α-SiC結晶基板のカーボン面(C面)上に、球状物と円形凹部とを発生させずにエピタキシャル成長させ、その基板を用いて電気的特性の優れた半導体素子を製作する。【解決手段】α-SiC基板をSiCコートしたグラファイトサセプタの上に載せ、水素ガス1SLM塩化水素ガス3sccmの混合ガスを流し、1300°Cに昇温し、α-SiC基板をエッチングし、その後800°Cに降温し水素ガス3SLMと塩化水素ガス10sccmの混合ガスを流し、その後1500°Cに昇温し、エピタキシャル成長用ガスである水素ガス3SLM、SiH4 (シラン)ガス0.3sccm、C3 H8 (プロパン)ガスの混合ガスを所定の時間流し、その後水素ガス3SLM、塩化水素ガス10sccmの混合ガスを流して室温まで冷却する。

請求項（抜粋）：

α-SiC結晶基板(以下SiC基板と略す)のカーボン面(C面という)を平滑となるように結晶成長させるために、SiC基板を第一の温度で水素を含むガスでエッチングする第一工程と、第一の温度より高い第二の温度でシリコンと炭素を含むガスでSiCをSiC基板にエピタキシャル成長させる第二工程と、エピタキシャル成長したSiC基板を冷却する第三工程と、を含むことを特徴とするSiC結晶成長方法。

IPC (5件)：

C30B 29/36 ,  C30B 33/12 ,  H01L 21/205 ,  C23C 16/42 ,  H01L 29/872

FI (5件)：

C30B 29/36 A ,  C30B 33/12 ,  H01L 21/205 ,  C23C 16/42 ,  H01L 29/48 Z