特許

J-GLOBAL ID：200903026738403414

半導体装置及びその製造方法

発明者： 松下 重治 ,  藤井 栄美
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 安富 耕二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-086813
公開番号（公開出願番号）：特開平11-345962
出願日： 1999年03月29日
公開日（公表日）： 1999年12月14日
要約：

【要約】【課題】ゲート電極等の電極からのリーク電流を抑制した半導体装置を提供する。【解決手段】GaAs基板上にアンドープのIn0.2Ga0.8Asからなる電子親和力の大きいチャネル層2と、該チャネル層2よりも電子親和力の小さいSiがドープされたAl0.2Ga0.8Asからなる電子供給層4とが形成された半導体装置において、前記チャネル層2及び前記電子供給層4の上部に、該チャネル層2及び前記電子供給層4よりも側方に突出し、アンドープ或いは前記電子供給層4より低濃度にドープされたAl0.4Ga0.6Asからなる接触防止層5が形成され、該接触防止層5上にゲート電極6が形成されている。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に電子親和力の大きいチャネル層と、該チャネル層よりも電子親和力の小さい電子供給層とを有する半導体装置において、前記チャネル層の上部に、該チャネル層よりも側方に突出し、アンドープ或いは前記電子供給層より低濃度にドープされた接触防止層が形成され、該接触防止層上に電極が形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812

FI (2件)：

H01L 29/80 H ,  H01L 29/80 F