特許
J-GLOBAL ID：200903026739173382
分散位相シフト構造分布帰還型半導体レーザ
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
金田 暢之 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-346159
公開番号（公開出願番号）：特開2003-152272
出願日： 2001年11月12日
公開日（公表日）： 2003年05月23日
要約：
【要約】【課題】 安定な単一モードでスロープ効率が高く、かつ作製公差の大きい分散位相シフト分布構造帰還型半導体レーザ(DFB-LD)を提供する。【解決手段】 本発明の回折格子により光帰還を行う分布帰還型半導体レーザは、素子が長さ方向に3つの領域に分けられ、領域1の長さを領域3の長さよりも短くし、かつ領域1と2の間、および領域2と3の間で回折格子の位相をそれぞれλ/8ずつシフトさせる。それにより、内部の電界は2箇所の位相シフトに分散され、前方側に位相シフトがあり、光強度が前方に集中する非対称分布になり、前端面スロープ効率の改善効果がある。2カ所の位相シフト部間の距離は素子のへき開時の位置ずれによらず一定であり、素子特性のへき開位置ばらつきの公差が大きく、安定単一モードで動作し、スロープ効率が高いDFB-LDを高い歩留まりで実現できる。
請求項（抜粋）：
少なくとも活性層と回折格子を有し、回折格子により光帰還を行う分布帰還型半導体レーザにおいて、素子が前端面側から長さ方向に領域1,領域2、...、領域nの順でn個(nは3以上の整数)の領域に分けられ、各領域の境界部(n-1個)において回折格子の位相がそれぞれλ/b1 、λ/b2、...λ/bn-1 ずつシフトしており(b1 、b2 、...bn-1 は整数)、全体の位相シフト量(λ/b1 +λ/b2 + ... +λ/bn-1 )が(m+1/4)λである(mは整数)ことを特徴とする分布帰還型半導体レーザ。
Fターム (21件)：
5F073AA22
, 5F073AA44
, 5F073AA64
, 5F073AA72
, 5F073AA73
, 5F073AA74
, 5F073AA75
, 5F073AA83
, 5F073AB02
, 5F073BA02
, 5F073BA03
, 5F073CA12
, 5F073CB02
, 5F073CB11
, 5F073DA33
, 5F073DA35
, 5F073EA03
, 5F073EA13
, 5F073EA26
, 5F073EA27
, 5F073EA29
