特許
J-GLOBAL ID：200903026739370129
有機絶縁層の微細パターン形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-205645
公開番号（公開出願番号）：特開平5-023876
出願日： 1991年07月23日
公開日（公表日）： 1993年02月02日
要約：
【要約】【目的】 簡単な工程で有機絶縁層に微細パターンを形成することができるとともに危険な薬品や排液処理施設を不要として有機絶縁層に微細パターンを形成可能とした。【構成】 高絶縁性有機物からなる絶縁層2にフォトレジスト膜3を形成し、所望のパターンを露光,現像して絶縁層2の不要部分を露出させ、エキシマレーザ4を照射して絶縁層2を蒸散させ、パターニングした後、フォトレジスト膜3を除去する。
請求項（抜粋）：
基板上に高絶縁性有機物からなる絶縁層を形成し、前記絶縁層の表面にフォトレジスト膜を被着した後、前記フォトレジスト膜を露光,現像して前記絶縁層の不要部分を露出させ、前記露出部分の絶縁層にエキシマレーザを照射し、絶縁層を蒸散させてパターンを形成し、しかる後、前記フォトレジスト膜を除去することを特徴とする有機絶縁層の微細パターン形成方法。
IPC (4件)：
B23K 26/00
, G03F 7/40 521
, H01L 21/302
, H05K 3/00
