特許
J-GLOBAL ID：200903026740699266
半導体レーザ素子及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-358887
公開番号（公開出願番号）：特開平10-200203
出願日： 1996年12月27日
公開日（公表日）： 1998年07月31日
要約：
【要約】【課題】 ペルチェ効果素子と半導体レーザ素子を一体化することにより、発熱部を直接冷却することができ、小型化が可能で冷却効率の良い半導体レーザ素子及びその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 半導体レーザ素子内にペルチェ効果素子を組み込んだことを特徴とし、特にp型半導体材料からなる基板及びp型層と、活性層と、n型半導体材料からなるn型層と電極とからなり、ペルチェ効果素子がn型層に形成されたことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
半導体レーザ素子内にペルチェ効果素子を組み込んだことを特徴とする半導体レーザ素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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