特許

J-GLOBAL ID：200903026745476990

有機トランジスタの製造方法および有機トランジスタ

発明者： 大田 悟
出願人/特許権者： パイオニア株式会社
代理人 (1件)： 内藤 照雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-122623
公開番号（公開出願番号）：特開2004-327857
出願日： 2003年04月25日
公開日（公表日）： 2004年11月18日
要約：

【課題】移動度の高い良質な有機半導体膜を有する有機トランジスタの製造方法を提供する。【解決手段】ゲート絶縁膜上に表面処理膜を形成する工程と、表面処理膜上に有機半導体膜を形成する工程と、を含む有機トランジスタの製造方法であって、表面処理膜を形成する前に、オゾン雰囲気下でゲート絶縁膜にUV照射を行うUV照射処理工程を含む。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

ゲート絶縁膜上に表面処理膜を形成する工程と、 前記表面処理膜上に有機半導体膜を形成する工程と、を含む有機トランジスタの製造方法であって、 前記表面処理膜を形成する前に、オゾン雰囲気下で前記ゲート絶縁膜にUV照射を行うUV照射処理工程を含むことを特徴とする有機トランジスタの製造方法。

IPC (3件)：

H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L51/00

FI (4件)：

H01L29/78 618B ,  H01L29/78 617V ,  H01L29/78 618A ,  H01L29/28

Fターム (24件)：

5F110AA01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF23 ,  5F110FF36 ,  5F110GG05 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110GG57 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK32