特許
J-GLOBAL ID：200903026748571820
歪ゲ-ジ用薄膜およびその製造法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
吉田 俊夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-124157
公開番号（公開出願番号）：特開平7-306002
出願日： 1994年05月13日
公開日（公表日）： 1995年11月21日
要約：
【要約】【目的】 クロム系合金材料を用いた歪ゲージ用薄膜であって、高いゲージ率を示すものを提供する。【構成】 クロムをターゲットに用い、アルゴン-窒素混合ガス雰囲気中で高周波スパッタリングして、窒素含有率が約0.1〜5原子%のクロム-窒素合金薄膜よりなる歪ゲージ用薄膜が製造される。
請求項（抜粋）：
窒素含有率が約0.1〜5原子%のクロム-窒素合金薄膜よりなる歪ゲージ用薄膜。
IPC (7件)：
G01B 7/16
, C23C 14/06
, C23C 14/34
, G01L 1/22
, H01C 7/00
, H01C 17/12
, H01L 29/84
