特許

J-GLOBAL ID：200903026756833868

レーザダイオードモジュール

発明者： 木村 直樹
出願人/特許権者： 古河電気工業株式会社
代理人 (1件)： 川和 高穂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-199867
公開番号（公開出願番号）：特開2005-044830
出願日： 2003年07月22日
公開日（公表日）： 2005年02月17日
要約：

【課題】放熱特性に優れ、レーザダイオードチップの機能が充分に発揮できるレーザダイオードモジュールを提供する。【解決手段】活性化層を有する面が下方に向けて配置されたレーザダイオードチップ、前記レーザダイオードチップを搭載するチップキャリア、および、前記チップキャリアと熱的に接続された冷却装置を備えたレーザダイオードモジュール。前記冷却装置がペルチェ素子からなっており、前記活性化層が前記チップキャリアに接触しないように、前記活性化層を有する面が、前記チップキャリアの上面に接合されている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

活性化層を有する面が下方に向けて配置されたレーザダイオードチップ、前記レーザダイオードチップを搭載するチップキャリア、および、前記チップキャリアと熱的に接続された冷却装置を備えたレーザダイオードモジュール。

IPC (1件)：

H01S5/024

FI (1件)：

H01S5/024

Fターム (7件)：

5F073BA01 ,  5F073CB02 ,  5F073EA29 ,  5F073FA15 ,  5F073FA22 ,  5F073FA25 ,  5F073FA30