半導体デバイス並びにその形成プロセス

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：桑垣衛
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-514784
公開番号（公開出願番号）：特表2004-515908
出願日： 2001年07月18日
公開日（公表日）： 2004年05月27日
要約：

半導体デバイス(10)は、絶縁層(14)を覆っており、かつ第1導電部(20)、第2導電部(30)及び第3導電部(40)からなる導体を有する。第2導電部(30)は、第1導電部(20)と第3導電部(40)との間に存在する。第1導電部(20)は第1元素を含有し、第3導電部(40)は第1元素を有意な量で含有することなく金属とシリコンとを含有する。導電部はゲート電極又はキャパシタ電極であり得る。

請求項（抜粋）：

基板を覆っている絶縁層と、前記絶縁層を覆っている導電部とからなる半導体デバイスであって、前記導電部は第1導電部、第2導電部及び第3導電部からなり、前記第2導電部は前記第1導電部と前記第3導電部との間に設けられ、前記第1導電部は第1元素を含有し、前記第3導電部は前記第1元素を有意な量で含有することなく金属とシリコンとを含有する半導体デバイス。

IPC (5件)：

H01L29/78 , H01L21/28 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/786

FI (5件)：

H01L29/78 301G , H01L21/28 301A , H01L29/78 617L , H01L29/78 617M , H01L29/58 G

Fターム (83件)：

4M104AA01 , 4M104AA03 , 4M104AA09 , 4M104BB01 , 4M104BB36 , 4M104CC05 , 4M104DD02 , 4M104DD55 , 4M104DD78 , 4M104DD84 , 4M104FF16 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 5F110AA14 , 5F110CC02 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110EE01 , 5F110EE05 , 5F110EE08 , 5F110EE09 , 5F110EE15 , 5F110EE32 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG12 , 5F110HJ13 , 5F110HJ23 , 5F110HK05 , 5F110HK33 , 5F110HK34 , 5F110HK40 , 5F110HL02 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HM15 , 5F110NN01 , 5F110NN03 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F140AA06 , 5F140AC36 , 5F140BA01 , 5F140BA05 , 5F140BD11 , 5F140BF04 , 5F140BF10 , 5F140BF15 , 5F140BF20 , 5F140BF22 , 5F140BF24 , 5F140BF28 , 5F140BG09 , 5F140BG12 , 5F140BG14 , 5F140BG28 , 5F140BG30 , 5F140BG34 , 5F140BH15 , 5F140BJ08 , 5F140BJ11 , 5F140BJ17 , 5F140BJ27 , 5F140BK13 , 5F140BK29 , 5F140BK30 , 5F140BK34 , 5F140BK38 , 5F140CA03 , 5F140CB01 , 5F140CC01 , 5F140CC03 , 5F140CC07 , 5F140CC08 , 5F140CC09 , 5F140CF04

前のページに戻る