特許

J-GLOBAL ID：200903026763381115

ウェハ表面上にシャドウリング及びパージを有するヒータ

発明者： サルヴァドール ウモトイ ,  アラン モリスン ,  カール リタウ ,  リチャード エー. マーシュ ,  ローレンス チャンーライ レイ ,  デール ドゥボイス
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-081327
公開番号（公開出願番号）：特開平10-041253
出願日： 1997年03月31日
公開日（公表日）： 1998年02月13日
要約：

【要約】【課題】 ウェハ縁部への材料の堆積を制御する方法及び装置を提供すること。【解決手段】 本発明はウェハより大きい直径のヒータペディスタルを介し下方からウェハの支持・加熱をする。ウェハ全体を囲んでシャドウリングが配置されるがウェハに接触せず、縁部近傍のウェハ環状帯状部をマスクする。シャドウリングが処理流体のウェハ上での堆積を抑制するよう、ウェハ上方から下方に流れる処理ガスのウェハマスク部分での堆積を物理的に遮り、パージガスの流れの方向付けをしてウェハ縁部近傍での堆積を抑制する。シャドウリングの下に同心状に設置されるパージガスマニホールドが、ヒータペディスタルを囲む円筒型環帯で画成され、ウェハとシャドウリングの間のパージギャップがパージガスマニホールド出口を形成する。パージガスはパージギャップから流出し処理ガスがパージギャップに入るのを抑制し、ウェハマスク部分への堆積をさらに抑制する。

請求項（抜粋）：

処理チャンバの基板サポート上に支持される基板の一部に、処理流体が接触するのを抑制するための方法であって、(a)前記基板のマスク部分にほぼ垂直な方向に前記処理流体が流れるのを遮るためのマスクを設ける工程と、(b)前記基板の前記マスク部分と前記マスクとの間にパージ流体を流す工程と、を備えることを特徴とする方法。

IPC (4件)：

H01L 21/285 ,  C23C 16/02 ,  C23C 16/44 ,  H01L 21/205

FI (4件)：

H01L 21/285 C ,  C23C 16/02 ,  C23C 16/44 D ,  H01L 21/205

引用特許：

審査官引用 (3件)

• CVD装置、マルチチャンバ方式CVD装置及びその基板処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-174896   出願人：日電アネルバ株式会社
• 特開平4-345022
  
• 特開平4-345022