特許

J-GLOBAL ID：200903026775415333

冷陰極素子

発明者： 川上 春雄 ,  近藤 健治 ,  米澤 喜幸 ,  岡村 祐子 ,  永山 利枝
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-198090
公開番号（公開出願番号）：特開平9-027263
出願日： 1995年07月11日
公開日（公表日）： 1997年01月28日
要約：

【要約】【目的】構造が簡便で、必要電界が低く、かつ、特性が安定で寿命の長い冷陰極素子を提供する。【構成】陰極と陽極とに電圧を印加することによって、陰極から電子を放出させ、この電子を前記陽極または他に設けられた電極に印加した電圧により制御する冷陰極素子において、前記陰極を、ダイヤモンド構造部の分散した導電性炭素膜とする。また、前記ダイヤモンド構造部の径を0.5μm 以下とし、前記炭素膜の表面粗さを0.5μm 以下としあるいは前記炭素膜の比抵抗を1010Ωcm以下とする。図1はメタンと水素との混合ガスを原料としたときのSEMによる炭素膜の粒子構造の写真であり、(a)はメタンの含有量が4vol%の場合、(b)はメタンの含有量が6vol%の場合(本発明の炭素膜)である。

請求項（抜粋）：

陰極と陽極とに電圧を印加することによって、陰極から電子を放出させ、この電子を前記陽極または他に設けられた電極に印加した電圧により制御する冷陰極素子において、前記陰極は、ダイヤモンド構造部の分散した導電性炭素膜からなることを特徴とする冷陰極素子。

IPC (2件)：

H01J 1/30 ,  H01J 9/02

FI (2件)：

H01J 1/30 A ,  H01J 9/02 B