半導体基板の不純物分析方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-308997
公開番号（公開出願番号）：特開平7-161791
出願日： 1993年12月09日
公開日（公表日）： 1995年06月23日
要約：

【要約】【目的】本発明は、ウェーハ表面の不純物を分析する方法において、局所での極微量な不純物を高感度で分析できるようにすることを最も主要な特徴とする。【構成】たとえば、ウェーハ11の表面の被測定領域にのみ紫外線13を照射し、その被測定領域内の不純物11aを酸化膜14中に取り込む。また、この酸化膜14中以外の不純物11bを酸洗浄により除去した後、その酸化膜14を弗化水素酸蒸気15により溶解する。そして、その溶解液滴16内に含まれる不純物11aを回収液滴17により回収し、ウェーハ11の表面における被測定領域内の不純物11aを選択的に回収する。この後、回収液滴17内の不純物11aの量を化学分析装置を用いて測定することで、局所での不純物11aの面内分布を調べることが可能な構成となっている。

請求項（抜粋）：

半導体基板表面の任意の被測定領域を選択的に酸化させ、その被測定領域内の不純物を酸化膜中に取り込む工程と、前記被測定領域以外の、前記半導体基板表面の不純物を除去する工程と、前記被測定領域の酸化膜を溶解し、その溶解液を回収する工程と、この回収した溶解液中の不純物の量を測定する工程とからなることを特徴とする半導体基板の不純物分析方法。

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