特許

J-GLOBAL ID：200903026782661072

薄膜および薄膜製造方法

発明者： 名田 直司 ,  内山 雄司
出願人/特許権者： ソニー株式会社 ,  富士通株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-265238
公開番号（公開出願番号）：特開2002-069645
出願日： 2000年09月01日
公開日（公表日）： 2002年03月08日
要約：

【要約】【課題】 プラズマを発生させる成膜方法で、成膜条件を変化させて膜厚方向に屈折率が変化する屈折率傾斜膜を形成すると、プラズマが不安定になって成膜の再現性が低くなるので、成膜条件の変更は非常に狭い範囲でしかできなかった。【解決手段】 触媒CVD法により基板51上に薄膜を形成する薄膜製造方法であって、成膜時に、成膜条件のうちの1種もしくは複数種の成膜条件を変化させて、膜厚方向に屈折率が変化する屈折率傾斜膜を成膜するという薄膜製造方法である。

請求項（抜粋）：

触媒CVD法により基板上に薄膜を形成する薄膜製造方法であって、前記薄膜の成膜中に、1種もしくは複数種の成膜条件を変化させることを特徴とする薄膜製造方法。

IPC (4件)：

C23C 16/44 ,  G02B 1/11 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/318

FI (4件)：

C23C 16/44 A ,  H01L 21/31 B ,  H01L 21/318 B ,  G02B 1/10 A

Fターム (34件)：

2K009AA02 ,  2K009BB01 ,  2K009CC02 ,  2K009CC42 ,  2K009DD03 ,  2K009DD09 ,  4K030AA06 ,  4K030AA13 ,  4K030BA29 ,  4K030BA38 ,  4K030BA40 ,  4K030CA06 ,  4K030CA17 ,  4K030EA04 ,  4K030FA17 ,  4K030GA02 ,  4K030JA03 ,  4K030JA06 ,  4K030JA09 ,  4K030JA12 ,  4K030KA23 ,  5F045AB33 ,  5F045AC01 ,  5F045AC12 ,  5F045DA64 ,  5F045EE12 ,  5F045EK07 ,  5F045EM10 ,  5F058BC08 ,  5F058BF02 ,  5F058BF23 ,  5F058BF30 ,  5F058BF36 ,  5F058BF37