特許

J-GLOBAL ID：200903026787558660

加熱方法及び加熱装置並びに半導体装置の製造方法

発明者： 鮫島 俊之 ,  香野 淳 ,  藤田 正登 ,  下 紳郎
出願人/特許権者： ソニー株式会社 ,  出光興産株式会社
代理人 (1件)： 山本 孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-011408
公開番号（公開出願番号）：特開平7-201876
出願日： 1994年01月06日
公開日（公表日）： 1995年08月04日
要約：

【要約】【目的】短時間加熱法よりも格段に短時間でしかも均一に非加熱物を加熱することができる加熱方法及び加熱装置を提供する。【構成】加熱方法は、被加熱物の周囲を、分解可能なガス雰囲気あるいは反応可能な2種類以上のガス混合体雰囲気にした後、ガスの分解あるいは反応にて生じる熱で被加熱物を直接加熱する。加熱装置は、(イ)加熱チャンバ(10)と、(ロ)分解可能なガスあるいは反応可能な2種類以上のガス混合体を加熱チャンバに供給するためのガス供給系(20〜26)と、(ハ)加熱チャンバ内に充填されたガスの分解あるいは反応にて生じる熱で加熱チャンバ内の被加熱物を直接加熱するために、加熱チャンバ内に充填されたガスを分解あるいは反応させるためのエネルギーをガスに供給するエネルギー供給装置(30)から成る。

請求項（抜粋）：

被加熱物の周囲を、分解可能なガス雰囲気あるいは反応可能な2種類以上のガス混合体雰囲気にした後、ガスの分解あるいは反応にて生じる熱により被加熱物を直接加熱することを特徴とする加熱方法。

IPC (5件)：

H01L 21/324 ,  H01L 21/20 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786

FI (2件)：

H01L 29/78 301 P ,  H01L 29/78 311 Y