特許

J-GLOBAL ID：200903026788070513

半導体設備廃液の処理法

発明者： 歳國 正美 ,  西川 克巳
出願人/特許権者： 日揮株式会社 ,  株式会社ナムテック
代理人 (1件)： 青麻 昌二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-121041
公開番号（公開出願番号）：特開平8-309342
出願日： 1995年05月19日
公開日（公表日）： 1996年11月26日
要約：

【要約】【目的】 シリコンに代表される半導体製造工業における各種加工工程から排出される微粒子を懸濁している廃液から、短時間で効果的に、かつ低コストで半導体設備廃液中の懸濁物を分離する。【構成】 半導体ウエハの加工工程から発生する微粒子懸濁廃液に、第一鉄塩及び二酸化チタンよりなる群から選ばれる少なくとも1種の物質が存在する状態で酸素の存在下で紫外線を含む光を照射し、生成した凝集物を分離する。

請求項（抜粋）：

半導体ウエハの加工工程から発生する微粒子懸濁廃液に、第一鉄塩及び二酸化チタンよりなる群から選ばれる少なくとも1種の物質が存在する状態で、酸素の存在下で紫外線を含む光を照射し、生成した凝集物を分離することからなる半導体設備廃液の処理法。

IPC (3件)：

C02F 1/32 ,  C01B 33/00 ,  C02F 1/52 ZAB

FI (3件)：

C02F 1/32 ,  C01B 33/00 ,  C02F 1/52 ZAB K