特許

J-GLOBAL ID：200903026788655384

カーボンナノチューブの形成方法

発明者： 朴 永俊 ,  崔 濬熙
出願人/特許権者： 三星エスディアイ株式会社
代理人 (2件)： 渡邊 隆 ,  志賀 正武
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-217573
公開番号（公開出願番号）：特開2005-158686
出願日： 2004年07月26日
公開日（公表日）： 2005年06月16日
要約：

【課題】CNTの形成方法が開示される。【解決手段】基板上に電極を蒸着する段階と、電極上にポリイミド層を形成する段階と、ポリイミド層と電極表面とをエッチングして電極の表面に多数の突起部を形成する段階と、突起部間の電極の表面に触媒金属層を形成する段階と、触媒金属層の表面にCNTを形成する段階とを含むCNTの形成方法である。 本発明に係るCNTの形成方法によれば、プラズマを利用して電極の表面に多数の突起部を形成し、前記突起部間にCNTを成長させることによって微細な直径のCNTを得られる。したがって、本発明に係る方法によって形成されたCNTが素子に利用されれば、駆動電圧を引き下げ、電界放出特性を向上させうる。【選択図】図3F

請求項（抜粋）：

基板上に電極を蒸着する段階と、 前記電極上にポリイミド層を形成する段階と、 前記ポリイミド層と前記電極表面とをエッチングして前記電極の表面に多数の突起部を形成する段階と、 前記突起部間の前記電極の表面に触媒金属層を形成する段階と、 前記触媒金属層の表面にカーボンナノチューブを形成する段階とを含むことを特徴とするカーボンナノチューブの形成方法。

IPC (4件)：

H01J9/02 ,  B01J37/02 ,  B82B3/00 ,  C01B31/02

FI (4件)：

H01J9/02 B ,  B01J37/02 301P ,  B82B3/00 ,  C01B31/02 101F

Fターム (61件)：

4G069AA08 ,  4G069BA17 ,  4G069BC33A ,  4G069BC40A ,  4G069BC58A ,  4G069BC59A ,  4G069BC60A ,  4G069BC66A ,  4G069BC67A ,  4G069BC68A ,  4G069BC72A ,  4G069BC75A ,  4G069CB81 ,  4G069DA06 ,  4G069EA08 ,  4G069EB15X ,  4G069FA01 ,  4G069FA04 ,  4G069FB02 ,  4G146AA11 ,  4G146AB08 ,  4G146AD29 ,  4G146BA08 ,  4G146BA09 ,  4G146BA12 ,  4G146BA48 ,  4G146BB23 ,  4G146BC09 ,  4G146BC43 ,  4G146BC44 ,  4G169AA08 ,  4G169BA17 ,  4G169BC33A ,  4G169BC40A ,  4G169BC58A ,  4G169BC59A ,  4G169BC60A ,  4G169BC66A ,  4G169BC67A ,  4G169BC68A ,  4G169BC72A ,  4G169BC75A ,  4G169CB81 ,  4G169DA06 ,  4G169EA08 ,  4G169EB15X ,  4G169FA01 ,  4G169FA04 ,  4G169FB02 ,  5C127AA01 ,  5C127BA15 ,  5C127BB07 ,  5C127CC03 ,  5C127DD02 ,  5C127DD07 ,  5C127DD09 ,  5C127DD15 ,  5C127DD24 ,  5C127DD54 ,  5C127DD62 ,  5C127EE06