特許

J-GLOBAL ID：200903026792399392

液晶表示素子及び液晶表示素子の製造方法

発明者： 岡本 ますみ ,  山本 恭弘 ,  田中 康晴 ,  石川 正仁 ,  真鍋 敦行
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 大胡 典夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-340812
公開番号（公開出願番号）：特開平9-179123
出願日： 1995年12月27日
公開日（公表日）： 1997年07月11日
要約：

【要約】【課題】 表示品位を良好に保持しつつ液晶表示素子の大容量化を実現する。【解決手段】 OCBモード液晶表示素子8にあっては、画素領域17の中心部にプレチルト角5°の配向膜A18aを成膜し、画素領域17の周縁部にプレチルト角7°の配向膜B18bを成膜して、OCBモード液晶表示素子8全面がベンド配列になる迄の時間を短縮する。又TN方式TFT駆動の液晶表示素子47にあっては、画素領域56の中心部にプレチルト角5°の配向膜E57aを成膜し、画素領域56の周縁部にプレチルト角7°の配向膜F57bを成膜して、チルトリバースの発生を低減し、大容量化を図り且つ高精細な表示を得る。

請求項（抜粋）：

第1の電極を有する第1の電極基板と、第2の電極を有し前記第1の電極基板と間隙を隔てて対向される第2の電極基板と、前記間隙に挾持される液晶組成物とを具備する液晶表示素子において、前記液晶組成物中の液晶分子と前記第1の電極基板及び/又は前記第2の電極基板との成す角(プレチルト角)を、前記第1の電極基板及び前記第2の電極基板により形成される画素領域の中心部に比し周縁部が大きくなるように設定する事を特徴とする液晶表示素子。