特許
J-GLOBAL ID：200903026794270702
半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-140493
公開番号（公開出願番号）：特開平6-349889
出願日： 1993年06月11日
公開日（公表日）： 1994年12月22日
要約：
【要約】【目的】 チップサイズとほぼ同等でかつ高信頼性、低コストのパッケージを実現する。【構成】 半導体素子1上にフィルムキャリア2のポリイミドが接するように配置しポリイミド上に形成されたインナリード3と半導体素子1のAl電極4とを金属突起5を介して接合されている。半導体素子1のAl電極4で素子内に複数個電源端子やグランド端子が設けられている場合には、金属突起5を形成する際に共通化する同端子を結ぶように金属バー6を同時に形成しておくことによって処理する。このように金属突起5と金属バー6をある基板上に電解めっきによって形成しておき、熱転写によりフィルムキャリア2のインナリード3に一括で転写接合する。この後、半導体素子1のAl電極4と転写接合された金属突起5と接合することによって上記のような構造の半導体パッケージを得る。
請求項（抜粋）：
半導体素子の電極に対応した位置に形成した基板上の金属突起をフィルムキャリアのインナリードに転写接合し、次いで前記金属突起と半導体素子の電極とを接合する実装体において、前記基板上の少なくとも2つ以上の金属突起同士が前記金属突起と同一材料の導体で連結していることを特徴とした半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/60 311
, H01L 23/50
