特許

J-GLOBAL ID：200903026796208044

ゾル-ゲル法を用いた放出カソードの製造方法及び放出カソード

発明者： ジャン-クロード・プレネ ,  バン・ヴュー・ティアン
出願人/特許権者： ユニヴェルシテ・クロード・ベルナール・リヨン・プルミエ
代理人 (1件)： 青山 葆 (外2名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-537082
公開番号（公開出願番号）：特表2003-514346
出願日： 2000年11月10日
公開日（公表日）： 2003年04月15日
要約：

【要約】直径が50μm〜400μm、好ましくは約100μmの金属フィラメントの形状、あるいは放出表面積が0.01mm2〜100mm2である平坦な金属ペレットの形状に作製された基材(1)と、金属アルコキシド(M-(OR)n、ここで、Mは金属を、そしてRはアルキル基を示す。)を含むゾルから得られた金属酸化物層(4)により覆われた金属基材(1)と、10分の1から10分の10電子ボルト程度の高さの電位障壁を有し、厚さが1nm〜10nm、好ましくは約5nmである電子接合を、金属基材(1)と協同して規定する金属酸化物(4)と、を有する電子放出カソード。

請求項（抜粋）：

基材(1)を、直径が50μm〜400μm、好ましくは約100μmの金属フィラメントの形状に、あるいは放出表面積が0.01mm2〜100mm2の平坦な金属ペレットの形状に形成し、 金属酸化物層を形成するために、金属アルコキシド(M-(OR)n、ここで、Mは金属を、そしてRはアルキル基を示す。)からゾルを調製し、 少なくとも基材の一部をゾルに浸漬し、 基材(1)の上に、最終的に、厚さが1nm〜10nm、好ましくは約5nmの金属酸化物層を堆積させるように、所定の速度でゾルから基材を引き上げ、 基材を乾燥し、そして 基材をアニールすることを特徴とする電子放出カソードの製造方法。

IPC (3件)：

H01J 9/02 ,  H01J 1/304 ,  H01J 19/24

FI (3件)：

H01J 9/02 B ,  H01J 19/24 ,  H01J 1/30 F