特許
J-GLOBAL ID：200903026797400925

半導体回路

発明者：
高山 徹

高山 徹 について

, 
竹村 保彦

竹村 保彦 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-080980
公開番号（公開出願番号）：特開2000-299454
出願日： 1993年03月22日
公開日（公表日）： 2000年10月24日
要約：
【要約】【課題】 良好な特性を有する半導体回路を提供すること。【解決手段】本発明によると、基板上に薄膜トランジスタと、前記基板上に薄膜ダイオードとを有する半導体回路であって、前記薄膜トランジスタのソース領域およびドレイン領域ならびに前記薄膜ダイオードのN型領域およびP型領域は実質的に結晶性シリコンから構成され、前記薄膜トランジスタのチャネル形成領域および前記薄膜ダイオードの真性領域は実質的にアモルファスシリコンから構成されることを特徴とする半導体回路が提供される。
請求項（抜粋）：
基板上に薄膜トランジスタと、前記基板上に薄膜ダイオードとを有する半導体回路であって、前記薄膜トランジスタのソース領域およびドレイン領域ならびに前記薄膜ダイオードのN型領域およびP型領域は実質的に結晶性シリコンから構成され、前記薄膜トランジスタのチャネル形成領域および前記薄膜ダイオードの真性領域は実質的にアモルファスシリコンから構成されることを特徴とする半導体回路。
IPC (5件)：
H01L 27/146 ,  H01L 21/8234 ,  H01L 27/06 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336
FI (4件)：
H01L 27/14 C ,  H01L 27/06 102 A ,  H01L 29/78 616 L ,  H01L 29/78 627 G
引用特許：
出願人引用 (22件)
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審査官引用 (9件)
  • 特開平4-206969
  • 特開平4-206969
  • 特開平2-143572
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