特許
J-GLOBAL ID:200903026799138403

半導体発光素子およびその素子を組み込んだ半導体発光装置ならびにそれらの製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 秋田 収喜
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-213652
公開番号(公開出願番号):特開2000-049417
出願日: 1998年07月29日
公開日(公表日): 2000年02月18日
要約:
【要約】【課題】 設計波長に一致または近似する波長を有する半導体レーザ素子および半導体レーザ装置ならびにそれらの製造方法を提供する。【解決手段】 端面から光を出射する帯状の発光部がモノリシックにかつ複数並列に配置された半導体発光素子であって、前記発光部の構造が相互に異なり、前記発光部の構造が設計値または設計値に最も近似した値になる発光部が半導体発光素子の中央または中央側に位置して使用される構造になっている。前記各発光部は相互に波長が異なり、その波長の違いは前記発光部の幅の違い,前記発光部の厚さの違い,前記発光部に沿って設けられる回折格子周期の違いのうちの1の構成または前記複数の構成を組み合わせた構成の採用によって得ている。前記発光部は半導体レーザを構成している。
請求項(抜粋):
端面から光を出射する帯状の発光部がモノリシックにかつ複数並列に配置された半導体発光素子であって、前記発光部の構造が相互に異なり、前記発光部の構造が設計値または設計値に最も近似した値になる発光部が半導体発光素子の中央または中央側に位置して使用される構造になっていることを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2件):
H01S 5/30 ,  G02B 6/42
FI (2件):
H01S 3/18 ,  G02B 6/42
Fターム (16件):
2H037AA01 ,  2H037BA04 ,  2H037BA05 ,  2H037DA03 ,  2H037DA04 ,  5F073AA11 ,  5F073AA45 ,  5F073AA62 ,  5F073AA74 ,  5F073AA89 ,  5F073AB06 ,  5F073CA13 ,  5F073CB02 ,  5F073DA32 ,  5F073EA04 ,  5F073FA07

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