特許

J-GLOBAL ID：200903026801411295

配線形成方法

発明者： 佐藤 淳一
出願人/特許権者： ソニー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-300537
公開番号（公開出願番号）：特開平8-162531
出願日： 1994年12月05日
公開日（公表日）： 1996年06月21日
要約：

【要約】【目的】 内部応力が低減されたTiN等の高融点金属窒化物層を、反応性スパッタリングにより形成する配線形成方法を提供する。【構成】 反応性スパッタリング中に、N2 等のN系ガスを段階的に増加する。形成される高融点金属窒化物層5は、メタリックモードの第1の高融点金属窒化物層5aと、ナイトライドモードの第2の高融点金属窒化物層5bが積層された構造を有する。N系ガスは連続的に増加してもよい。【効果】 圧縮応力を持つ第1の高融点金属窒化物層5aと、引張り応力を持つ第2の高融点金属窒化物層5bの応力が相殺しあい、高融点金属窒化物層5の実質的な膜応力はゼロとなる。このためクラックや剥離のない、信頼性の高い配線形成方法が実現される。

請求項（抜粋）：

N系ガスと希ガスを含む混合ガスを用い、反応性スパッタリングにより高融点金属窒化物層を形成する工程を含む配線形成方法であって、前記反応性スパッタリング工程中に、該N系ガスの流量を段階的に増加することを特徴とする、配線形成方法。

IPC (5件)：

H01L 21/768 ,  C23C 14/06 ,  C23C 14/34 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/285 301