特許
J-GLOBAL ID：200903026809510217
静電気保護用半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井上 一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-109200
公開番号（公開出願番号）：特開2001-291827
出願日： 2000年04月11日
公開日（公表日）： 2001年10月19日
要約：
【要約】【課題】 より高速な動作が可能となる静電気保護用半導体装置を提供する。【解決手段】 本発明の半導体装置は、P型不純物拡散層60と、P型不純物拡散層60と電気的に分離されるN型不純物拡散層20とを含むP型ウエル11と、P型ウエル11に形成され、N型不純物拡散層30を含むN型ウエル13と含む。さらに、N型不純物拡散層30、N型ウエル13、およびP型ウエル11から第1バイポーラトランジスタ210が構成され、N型不純物拡散層20、P型ウエル11、およびN型ウエル13から第2バイポーラトランジスタ220が構成され、P型ウエル11およびN型ウエル13にかけて連続するN型不純物拡散層40と、N型不純物拡散層40に接合するP型不純物拡散層50とからツェナーダイオード230が構成される。
請求項（抜粋）：
第1導電型の第1不純物拡散層と、該第1不純物拡散層と電気的に分離される第2導電型の第2不純物拡散層とを含む第1導電型の第1領域と、前記第1領域に形成され、ウエル構造を有し、かつ第1導電型の第3不純物拡散層を含む第2導電型の第2領域と、前記第3不純物拡散層をエミッタ領域とし、前記第2領域をベース領域とし、前記第1領域をコレクタ領域とする第1バイポーラトランジスタと、前記第2不純物拡散層をエミッタ領域とし、前記第1領域をベース領域とし、前記第2領域をコレクタ領域とする第2バイポーラトランジスタと、前記第1領域に形成された第2導電型の第4不純物拡散層と、前記第4不純物拡散層に接合し、かつ前記第1領域と連続する第1導電型の第5不純物拡散層とよって構成されるツェナーダイオードと、を含む、静電気保護用半導体装置。
IPC (2件)：
Fターム (10件)：
5F038BE07
, 5F038BG09
, 5F038BH02
, 5F038BH04
, 5F038BH05
, 5F038BH06
, 5F038BH13
, 5F038BH18
, 5F038CA05
, 5F038EZ20
