特許

J-GLOBAL ID：200903026810104214

半導体素子の製造法

発明者： 今泉 充
出願人/特許権者： 大同特殊鋼株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-202657
公開番号（公開出願番号）：特開平9-023025
出願日： 1995年07月06日
公開日（公表日）： 1997年01月21日
要約：

【要約】【目的】 量子ドット構造を備える半導体素子の製造において、その特性を向上させる製造方法を提供する。【構成】 量子ドット構造における半導体微結晶を形成する際、有機金属化学気相成長法を用い、微結晶を形成する半導体結晶のバルク状態での格子定数と、エネルギー障壁を形成する半導体結晶のバルク状態での格子定数が1%以上異なるものを選択し、成長条件のひとつであるV/III比を100乃至200とする。

請求項（抜粋）：

大きさが電子のドブロイ波長程度の断面寸法を持つ半導体からなる半導体微小結晶と、ポテンシャルエネルギーがこの半導体微結晶のポテンシャルエネルギーよりも高くエネルギー障壁として機能する半導体にて前記半導体微結晶を囲んだ0次元量子井戸を備える半導体素子の製造において、結晶成長には有機金属化学気相成長法により、微結晶の形成には、微結晶を形成する半導体結晶のバルク状態での格子定数と、エネルギー障壁を形成する半導体結晶のバルク状態での格子定数が1%以上異なる材料を用いて、かつIII族の原料供給モル量に対するV族の原料供給モル量の比の値を100乃至200の範囲で微結晶成長させることを特徴とする半導体素子の製造法

IPC (3件)：

H01L 31/10 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00

FI (3件)：

H01L 31/10 A ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 A