特許

J-GLOBAL ID：200903026810781330

薄膜形成方法

発明者： コ ウォン ヨン ,  イ チュン ス
出願人/特許権者： ジニテック カンパニー リミテッド
代理人 (1件)： 高田 武志
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-543083
公開番号（公開出願番号）：特表2005-509093
出願日： 2002年11月08日
公開日（公表日）： 2005年04月07日
要約：

プラズマパルスを利用して低温でも膜を形成できる薄膜形成方法を提示する。本発明は、反応器内にパージガスまたは反応性パージガスを持続的に供給しつつ原料ガスを断続的に供給する方式を使用し、ガス供給周期間にプラズマパルスを印加して低温でも膜を形成できる薄膜形成方法を提供する。また、色々な金属元素が含まれた物質膜を形成する方法と、簡単なガス供給周期Tcycleを結合した超周期Tsupercycleを使用して金属元素の比率の異なる膜を形成する方法と、簡単なガス供給周期Tcycleを結合した超周期Tsupercycleを使用して形成しようとする膜の組成を連続的に変化させる方法と、を提供する。本発明によれば、原料ガス間の反応性が高くてもパージ時間を延長せずにも反応器内の残留する粒子による汚染を減少でき、原料ガス間の反応性が低くても低温で膜を形成でき、時間当り膜形成速度も速くしうる。

請求項（抜粋）：

(a)薄膜形成のための反応が起こる反応器内に第1原料ガスを供給する段階と、 (b)前記第1原料ガスの供給を遮断し、前記反応器内に残留する前記第1原料ガスをパージする段階と、 (c)前記反応器内に第2原料ガスを供給するが、前記第2原料ガスの供給間に高周波電力を印加して前記第2原料ガスを活性化させる段階と、 (d)前記高周波電力及び前記第2原料ガスの供給を遮断する段階と、を含むが、 前記(a)段階ないし前記(d)段階の間にパージガスを持続的に供給しつつ膜を形成することを特徴とする薄膜形成方法。

IPC (3件)：

C23C16/44 ,  H01L21/285 ,  H01L21/316

FI (3件)：

C23C16/44 A ,  H01L21/285 C ,  H01L21/316 X

Fターム (36件)：

4K030AA03 ,  4K030AA11 ,  4K030AA14 ,  4K030AA17 ,  4K030AA18 ,  4K030BA01 ,  4K030BA02 ,  4K030BA17 ,  4K030BA18 ,  4K030BA38 ,  4K030BA42 ,  4K030BA43 ,  4K030BA46 ,  4K030BA47 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030FA03 ,  4K030JA08 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030JA11 ,  4M104BB02 ,  4M104BB14 ,  4M104BB17 ,  4M104BB30 ,  4M104DD43 ,  5F058BA09 ,  5F058BC03 ,  5F058BD05 ,  5F058BF04 ,  5F058BF06 ,  5F058BF07 ,  5F058BF24 ,  5F058BF27 ,  5F058BF37 ,  5F058BF39

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 化学気相蒸着法による金属窒化膜形成方法及びこれを用いた半導体装置の金属コンタクト形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-275664   出願人：三星電子株式会社
• 反応チャンバガス流入方法及びそれに用いるシャワ-ヘッド
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-008699   出願人：三星電子株式会社