特許

J-GLOBAL ID：200903026813702759

半導体記憶装置

発明者： 三澤 久徳 ,  角田 弘昭
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-348543
公開番号（公開出願番号）：特開平7-193141
出願日： 1993年12月27日
公開日（公表日）： 1995年07月28日
要約：

【要約】【目的】この発明は、微細化に適した構造を有するメモリセルを有した半導体記憶装置を提供しようとするものである。【構成】絶縁体層22と、絶縁体層22上に形成された薄膜トランジスタと、絶縁体層に形成されたトレンチ23-1,23-2 と、トレンチ23-1,23-2 内に、基板側電極24-1,24-2 およびストレ-ジノ-ド電極29-1, 29-2がともに配置されたトレンチキャパシタとを具備する。この構成であると、空乏層が拡がることがなく、トレンチ23-1と23-2との間の距離を、必要最小限まで縮めることができる。

請求項（抜粋）：

絶縁基体と、前記絶縁基体上に形成された薄膜トランジスタと、前記絶縁基体に設けられた溝部と、第1、第2の電極がともに前記溝部内に配置され、前記第1の電極が前記薄膜トランジスタの電流通路に接続されているキャパシタとを具備することを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (5件)：

H01L 21/8242 ,  H01L 27/108 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 29/786

FI (4件)：

H01L 27/10 325 G ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 325 D ,  H01L 29/78 311 C