特許

J-GLOBAL ID：200903026814328834

酸化珪素のナノワイヤの製造方法

発明者： 戚 継発 ,  舛本 泰章
出願人/特許権者： 科学技術振興事業団
代理人 (1件)： 清水 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-342408
公開番号（公開出願番号）：特開2002-154819
出願日： 2000年11月09日
公開日（公表日）： 2002年05月28日
要約：

【要約】【課題】 光学素子材料として有用な結晶質酸化珪素ナノワイヤを、容易に、しかも低コストで大量に製造することができる酸化珪素のナノワイヤの製造方法を提供する。【解決手段】 珪素、珪素と金属触媒又は珪素と二酸化珪素の微細粉末から、室温で6.0×107 kg/m2 の圧力で直径13mmで厚さ約1mmのSi板11を作製した。そこで、得られたSi板11を、管状電気炉6の石英管室5の中心部に置き、銅棒7に冷却水を流し、回転真空ポンプ10で排気しながら、電気炉6の温度を上げた。電気炉6が400°Cになってから、Arガスを石英管室5に入れた。Arガス流量は50〜80sccmで、石英管室5の圧力は30〜80Paに調整した。そして、約1時間後、電気炉6が1200°Cの成長温度になって、そのときArガスの流量、石英管室5の圧力と電気炉6の温度が安定した条件下で2時間の試料成長を行わせた。それから、電気炉6を自然に室温まで冷却した。

請求項（抜粋）：

珪素、珪素と金属触媒又は珪素と二酸化珪素の微細粉末原料を封入管を有する電気炉内にセットし、前記電気炉により1150〜1250°Cにして前記微細粉末原料を熱蒸発させ、酸化珪素のナノワイヤを生成させることを特徴とする酸化珪素のナノワイヤの製造方法。

IPC (3件)：

C01B 33/12 ,  B82B 3/00 ,  G02B 6/13

FI (3件)：

C01B 33/12 Z ,  B82B 3/00 ,  G02B 6/12 M

Fターム (11件)：

2H047QA04 ,  4G072AA26 ,  4G072BB04 ,  4G072BB05 ,  4G072GG01 ,  4G072HH01 ,  4G072HH14 ,  4G072MM36 ,  4G072TT01 ,  4G072UU01 ,  4G072UU03