特許

J-GLOBAL ID：200903026816263845

絶縁膜のエッチング方法及び装置

発明者： 大島 久純 ,  松井 正樹
出願人/特許権者： 日本電装株式会社
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-081307
公開番号（公開出願番号）：特開平8-279491
出願日： 1995年04月06日
公開日（公表日）： 1996年10月22日
要約：

【要約】【目的】機械的加工であるCMPにおいて問題となっている加工ダメージやパーティクル発生の問題を本質的に回避し、製品の歩留まりと信頼性の向上する。【構成】この絶縁膜のエッチング方法及び装置では、被加工物2をエッチングする成分を含む材料によりエッチング雰囲気3を形成し、上記被加工物2が選択的に吸収する波長の光である加熱光4を、当該加熱光4を吸収しないプリズム1に全反射する条件で入射させ、当該プリズム1より光が漏れ出すエバネッセント光領域5を形成し、上記エバネッセント光領域5の中に上記被加工物2の凸部分を保持し、該凸部分に光を吸収させ局所的に加熱し、上記被加工物2の凸部分と凹部分に温度差を発生させ、各部におけるエッチング速度に差を生じさせ、凹凸の被加工物2の表面を平坦化することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

凹凸な表面を有する絶縁膜をエッチングにより平坦化する絶縁膜のエッチング方法において、上記絶縁膜をエッチングする成分を含む材料によりエッチング雰囲気を形成し、当該エッチング雰囲気中にて上記絶縁膜の凸部と凹部に温度差をつけることで、上記絶縁膜の凸部及び凹部のエッチング速度を制御して平坦化する事を特徴とする絶縁膜のエッチング方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/768

FI (3件)：

H01L 21/302 L ,  H01L 21/306 D ,  H01L 21/90 P