特許
J-GLOBAL ID：200903026821457224
半導体製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-300969
公開番号（公開出願番号）：特開平7-130829
出願日： 1993年11月05日
公開日（公表日）： 1995年05月19日
要約：
【要約】【目的】 載置台に静電吸着されたウエハを載置台から短時間で取り外すことができるようにする。【構成】 電極が絶縁体で被覆されてなる載置台にウエハを静電吸着させて該ウエハに処理を施した後、そのウエハを前記載置台から取り外す半導体製造方法において、前記ウエハを前記載置台から取り外すに際し、前記絶縁体内でかつ前記電極の近傍に設けられた空間内を常時循環する液体に、該液体の比抵抗を下げるための媒体を投入して、前記空間内に前記媒体が投入された液体を通過させる。このことにより前記電極付近の帯電状態が解消され、前記載置台から前記ウエハを短時間で取り外すことができる。
請求項（抜粋）：
電極が絶縁体で被覆されてなる載置台にウエハを静電吸着させて該ウエハに処理を施した後、そのウエハを前記載置台から取り外す半導体製造方法において、前記ウエハを前記載置台から取り外すに際し、前記絶縁体内でかつ前記電極の近傍に設けられた空間内を常時循環する液体に、該液体の比抵抗を下げるための媒体を投入して、前記空間内に前記媒体が投入された液体を通過させ、この後、前記載置台から前記ウエハを取り外すことを特徴とする半導体製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/68
, H01L 21/205
, H01L 21/3065
