特許
J-GLOBAL ID：200903026830646021
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西教 圭一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-207801
公開番号（公開出願番号）：特開平8-078457
出願日： 1994年08月31日
公開日（公表日）： 1996年03月22日
要約：
【要約】【目的】 ワイヤボンディングの接続強度を向上させることのできる半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 光結合装置35は、基体36上にめっきを行う際、最も上のめっき層を形成する前に、ソルダレジスト膜を形成した後、予め定められた領域に表面立体めっき配線を行っているので、ソルダレジスト膜が硬化する際に発生するガスによって最も上のめっき層の表面が汚れることがなく、基体36の凹所38,39に設置される発光素子42および受光素子43と、めっき層73,74とを導線76によってワイヤボンディングする際の強度が向上する。
請求項（抜粋）：
合成樹脂製基体上に複数層から成る導体をめっきによって形成し、基体または導体の予め定める領域にソルダレジスト膜を形成し、半導体素子と前記導体とを導線によってワイヤボンディングする半導体装置の製造方法において、前記複数層のうち少なくとも最も上の層を、めっきによって形成する前に、ソルダレジスト膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/60 301
, H01L 31/12
