特許

J-GLOBAL ID：200903026832387031

熱電素子用結晶体及びその製造方法並びに熱電素子の製造方法

発明者： 田島 健一
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-154415
公開番号（公開出願番号）：特開2003-347608
出願日： 2002年05月28日
公開日（公表日）： 2003年12月05日
要約：

【要約】【課題】欠陥が少なく、熱電特性に特に優れる熱電素子用結晶体及びその結晶体を高歩留まり、低コストで製造する製造方法並びに熱電素子の製造方法を提供する。【解決手段】断面積10mm2以下、長さ10mm以上の劈開性を有する柱状の半導体結晶からなり、該半導体結晶におけるいずれの1mmの長さ範囲においても、劈開面が1方向又は2方向であり、且つ両端面を除く面におけるカーボン量及び酸素量が、それぞれ内部よりも表面部で多いことを特徴とし、特に前記表面部の厚みが少なくとも10nm、前記半導体結晶の断面形状が熱電モジュールに搭載する熱電素子の断面形状と略同一であることが好ましい。

請求項（抜粋）：

断面積10mm2以下、長さ10mm以上の劈開性を有する柱状の半導体結晶からなり、該半導体結晶におけるいずれの1mmの長さ範囲においても、劈開面が1方向又は2方向であり、且つ両端面を除く面におけるカーボン量及び酸素量が、それぞれ内部よりも表面部で多いことを特徴とする熱電素子用結晶体。

IPC (9件)：

H01L 35/34 ,  C22C 12/00 ,  C22C 28/00 ,  C22F 1/16 ,  C30B 29/60 ,  H01L 35/16 ,  C22F 1/00 650 ,  C22F 1/00 661 ,  C22F 1/00 691

FI (9件)：

H01L 35/34 ,  C22C 12/00 ,  C22C 28/00 Z ,  C22F 1/16 Z ,  C30B 29/60 ,  H01L 35/16 ,  C22F 1/00 650 Z ,  C22F 1/00 661 Z ,  C22F 1/00 691 B

Fターム (18件)：

4G077AA02 ,  4G077AB10 ,  4G077BA07 ,  4G077CD02 ,  4G077CF10 ,  4G077EB01 ,  4G077EG01 ,  4G077EG02 ,  4G077EH09 ,  4G077FE11 ,  4G077HA06 ,  4G077MA01 ,  4G077MA02 ,  4G077MB02 ,  4G077MB32 ,  4G077PD01 ,  4G077PD02 ,  4G077PF51