特許

J-GLOBAL ID：200903026835014481

薄膜トランジスタ

発明者： 山田 想
出願人/特許権者： 富士ゼロックス株式会社
代理人 (1件)： 中村 智廣 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-116644
公開番号（公開出願番号）：特開平5-291578
出願日： 1992年04月10日
公開日（公表日）： 1993年11月05日
要約：

【要約】【目的】 極薄の薄膜ポリシリコン層を備えたコプレーナ型構造の薄膜トランジスタにおいて、ソースおよびドレイン領域に対する電極配線のコンタクトをコンタクト抵抗の増加や短チャネル化がなく良好に形成することによって、コンタクト特性やチャネル特性に優れた高品質の薄膜トランジスタを提供する。【構成】 絶縁性基板1上に形成された薄膜ポリシリコン層2をチャネル領域3として用いるコプレーナ型構造の電界効果トランジスタにおいて、上記薄膜ポリシリコン層2に形成されるソースおよびドレイン領域4とそれら領域4に通電するための電極配線層10とを不純物拡散処理後に接続させる接合用ポリシリコン層7を、そのソースおよびドレイン領域4上のゲート絶縁膜5に形成された開口孔6の一部を覆うように設けてなり、且つ、その開口孔6の残部が層間絶縁層9により覆われている薄膜トランジスタである。

請求項（抜粋）：

絶縁性基板上に形成された薄膜ポリシリコン層をチャネル領域として用いるコプレーナ型構造の電界効果トランジスタにおいて、上記薄膜ポリシリコン層に形成されるソースおよびドレイン領域とそれら領域に通電するための電極配線層とを不純物拡散処理後に接続させる接合用ポリシリコン層を、そのソースおよびドレイン領域上のゲート絶縁膜に形成された開口孔の一部を覆うように設けてなり、且つ、その開口孔の残部が層間絶縁層により覆われていることを特徴とする薄膜トランジスタ。