特許

J-GLOBAL ID：200903026835609418

ウエハの洗浄方法

発明者： 稲垣 靖史 ,  平野 興治
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 尾川 秀昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-180240
公開番号（公開出願番号）：特開平5-003184
出願日： 1991年06月24日
公開日（公表日）： 1993年01月08日
要約：

【要約】【目的】 半導体ウェハの洗浄方法において、ウェハの裏面の汚れが汚染源にならないようにする。【構成】 ウェハ表面に対する薬液洗浄、リンスを終えた後、少なくとも裏面をブラシで洗浄する。

請求項（抜粋）：

ウェハ表面を液により洗浄した後、ウェハの少なくとも裏面をブラシにて洗浄することを特徴とするウェハの洗浄方法

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平1-140727
  
• 特開昭54-076072
  
• 特開昭63-211627
  
• 特開平1-304732