特許

J-GLOBAL ID：200903026841083916

半導体不揮発性記憶装置およびその製造方法

発明者： 竹渕 政孝
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-071970
公開番号（公開出願番号）：特開平5-275712
出願日： 1992年03月30日
公開日（公表日）： 1993年10月22日
要約：

【要約】【目的】電気的に浮遊状態にある導電膜を、重金属による汚染から保護する。【構成】半導体基板と、この半導体基板の表面に設けられた絶縁膜と、この絶縁膜中に設けられ電気的に浮遊状態にある導電膜と、前記絶縁膜の上部に設けられた金属配線膜と、この金属配線膜と前記導電膜との間にこの導電膜を覆うように設けられ、窒素原子を含む薄膜とを具備したことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、この半導体基板の表面に設けられた絶縁膜と、この絶縁膜中に設けられ電気的に浮遊状態にある導電膜と、前記絶縁膜の上部に設けられた金属配線膜と、この金属配線膜と前記導電膜との間にこの導電膜を覆うように設けられ、窒素原子を含む薄膜とを具備したことを特徴とする半導体不揮発性記憶装置。

IPC (4件)：

H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  G11C 16/02 ,  G11C 16/04

FI (2件)：

H01L 29/78 371 ,  G11C 17/00 307 D

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平3-232231
  
• 特開平1-164069