薄膜トランジスタの製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小鍜治明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-133250
公開番号（公開出願番号）：特開平5-326955
出願日： 1992年05月26日
公開日（公表日）： 1993年12月10日
要約：

【要約】【目的】薄膜トランジスタの層間不良を軽減する。【構成】耐圧容器1内にゲート電極を形成してある薄膜トランジスタ基板5を設置し、大気圧以上の酸素を導入し加熱して、ゲート電極上に熱酸化膜を形成する。その結果、ゲート電極とソース・ドレイン電極の間の層間絶縁不良を軽減し、薄膜トランジスタアレイの製造歩留まり向上が実現する。

請求項（抜粋）：

ゲート電極,ゲート絶縁膜および半導体膜のうち少なくともゲート電極を形成した薄膜トランジスタ基板を耐圧構造の容器の中に設置して、大気圧以上の酸素を導入して加熱し、前記ゲート電極の表面に絶縁性酸化膜を形成する工程を少なくとも有することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開昭59-075668
特開昭59-075636

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