特許
J-GLOBAL ID：200903026848874668
誘電体薄膜の製造方法及び製造装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
池内 寛幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-137396
公開番号（公開出願番号）：特開平6-350046
出願日： 1993年06月08日
公開日（公表日）： 1994年12月22日
要約：
【要約】【目的】 ペロブスカイト型酸化物誘電体薄膜を、安定性・均一性・再現性良く量産する方法および装置を提供する。【構成】 基板ホルダ-6を回転させながら、ターゲット2および3をスパッタリングし、堆積-非堆積(安定化)-堆積-非堆積(安定化)・・・・と周期的に繰り返す。Pb0.9 La0.1 Ti0.975 O3 膜を形成する場合、ターゲット2〜4に、焼結した酸化物強誘電体[Pb0.9 La0.1 TiO3 +0.2PbO](直径6インチ)を用い、基板5の酸化マグネシウムMgOの(100) 面に蒸着する。基板の温度範囲として550 〜650 °C、ArとO2 の混合比としてはAr/O2=20〜5 、圧力としては、0.1 〜0.5Pa が適当である。また堆積速度は、ターゲット-基板間距離80〜90mmにおいて、ターゲット1個当り、200 〜400 Wの入力パワーで0.5 〜2.5 オングストローム/sで形成できる。
請求項（抜粋）：
A-B-Oで構成されるペロブスカイト型化合物薄膜を製造する方法であって、薄膜の単位格子の成長方向の長さcオングストロームと、蒸着源上での薄膜の堆積速度dオングストローム/秒との間に、c/d≧2なる関係を満足することを特徴とする誘電体薄膜の製造方法。ここで、Aサイトは、Pb、Ba、SrまたはLaの少なくとも1種、Bサイトは、TiおよびZrのうち少なくとも1種の元素を含む。
IPC (4件)：
H01L 27/10 451
, C23C 14/06
, H01L 21/31
, H01L 27/108
