特許

J-GLOBAL ID：200903026849329655

磁電変換素子及びこれを用いた変位検出装置

発明者： 岡田 一朗
出願人/特許権者： 旭化成電子株式会社
代理人 (1件)： 谷 義一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-256652
公開番号（公開出願番号）：特開2003-065796
出願日： 2001年08月27日
公開日（公表日）： 2003年03月05日
要約：

【要約】【課題】 高出力でかつ実装面積を大幅に縮小し得る磁電変換素子及びこれを用いた変位検出装置を提供すること。【解決手段】 磁性体基板上に所定の間隔で少なくとも2つの磁性体からなる集磁片を配置し、該集磁片の少なくとも一方に感磁部を形成して磁電変換素子を構成した。また、交番着磁された磁石と、前記磁電変換素子の集磁片とを対向させて変位検出装置を構成した。これにより、磁電変換素子の感磁部を貫く磁束の密度を高めることが容易となり、充分なホール電圧出力を有する磁電変換素子を提供することが可能となる。また、1の基板上に複数の感磁部を備える磁電変換素子の構成としたので、実装面積が大幅に縮小され、高感度で小型の変位検出装置を提供することが可能となる。

請求項（抜粋）：

磁性体基板と、該磁性体基板上に所定の間隔で配置される少なくとも2つの磁性体からなる集磁片と、該集磁片の少なくとも一方に形成される感磁部とを備えることを特徴とする磁電変換素子。

IPC (3件)：

G01D 5/245 ,  G01R 33/07 ,  H01L 43/06

FI (3件)：

G01D 5/245 H ,  H01L 43/06 U ,  G01R 33/06 H

Fターム (8件)：

2F077CC02 ,  2F077NN02 ,  2F077NN24 ,  2F077PP12 ,  2F077VV01 ,  2G017AC07 ,  2G017AD53 ,  2G017BA05

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開昭63-058264