特許
J-GLOBAL ID:200903026850287478
ガスセンサ及びガス検出方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
塩入 明 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-129528
公開番号(公開出願番号):特開2000-321231
出願日: 1999年05月11日
公開日(公表日): 2000年11月24日
要約:
【要約】【構成】 絶縁基板上に、Sb添加の内層のSnO2膜と、Sb無添加の外層のSnO2膜とを積層したガスセンサの温度を室温付近と400°C付近とに交互に変化させ、高温側での出力からメタンを検出し、低温側の出力からCOを検出する。【効果】 メタンとCOとを、同じ金属酸化物半導体で同じ負荷抵抗を用いて検出でき、またCO検出時の温湿度依存性を小さくできる。
請求項(抜粋):
ヒータにより、金属酸化物半導体の温度を周期的に変化させ、該金属酸化物半導体の抵抗値からCOと可燃性ガスとを検出するようにしたガスセンサにおいて、前記金属酸化物半導体を、Sbを添加したSnO2を用いた内層を、Sb無添加のSnO2を用いた外層で被覆して構成したことを特徴とするガスセンサ。
FI (3件):
G01N 27/12 C
, G01N 27/12 B
, G01N 27/12 D
Fターム (15件):
2G046AA11
, 2G046AA19
, 2G046BA01
, 2G046BA04
, 2G046BA09
, 2G046BB02
, 2G046BE02
, 2G046BE03
, 2G046DB07
, 2G046EB01
, 2G046EB06
, 2G046FB02
, 2G046FC02
, 2G046FE36
, 2G046FE39
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