特許

J-GLOBAL ID：200903026851556456

半導体装置

発明者： 高田 賢治
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 大胡 典夫 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-325597
公開番号（公開出願番号）：特開2002-134735
出願日： 2000年10月25日
公開日（公表日）： 2002年05月10日
要約：

【要約】【課題】熱伝導率が悪いサファイア基板上に、結晶性が良好で、放熱特性が良好な電界効果トランジスタを具備する半導体装置を提供することを目的とする。【解決手段】サファイア基板1と、サファイア基板1上に形成された窒化ガリウム系半導体からなる下地層3と、下地層3上に形成された開口部106を有する高融点金属層6とを具備する。この高融点金属層6をマスクとし、開口部106を介して下地層3上から高融点金属層6の面上に沿って、窒化ガリウム系半導体からなる横方向成長層7を形成する。横方向成長層7上には能動層10が形成され、高融点金属層6上に位置する能動層10中にチャネル領域、ソース領域及びドレイン領域を具備する電界効果トランジスタ素子を形成する。基板周辺部では、高融点金属層6が露出されヒートシンク105と接続されている。

請求項（抜粋）：

サファイア基板と、前記サファイア基板上に形成された第1のInxAlyGazN(0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1 x+y+z=1)層と、前記第1のInxAlyGazN層上に形成された開口部を有する高融点金属層と、前記高融点金属層の一部を覆うように形成された第2のInxAlyGazN(0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1 x+y+z=1)層と、前記第2のInxAlyGazN層上に形成された第3のInxAlyGazN(0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1 x+y+z=1)層と、前記高融点金属層上に位置する前記第3のInxAlyGazN層中に少なくともチャネル領域が配置され、前記チャネル領域の両側に配置されたソース領域及びドレイン領域を具備する電界効果トランジスタ素子と、前記第2のInxAlyGazN層が形成されていない前記高融点金属層上に形成され前記高融点金属層と接続されたヒートシンクとを具備することを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812

Fターム (8件)：

5F102FA04 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GR01 ,  5F102GS09 ,  5F102HC01 ,  5F102HC16