特許

J-GLOBAL ID：200903026853273389

電圧補助回路および半導体集積回路装置

発明者： 池田 豊 ,  伊藤 孝
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-214113
公開番号（公開出願番号）：特開2000-047740
出願日： 1998年07月29日
公開日（公表日）： 2000年02月18日
要約：

【要約】【課題】 急激な内部電源電圧の変化を補うことができる電圧補助回路および当該電圧補助回路を含む半導体集積回路装置を提供する。【解決手段】 本発明における半導体集積回路装置は、内部降圧回路900と電圧補助回路100とを含む。内部降圧回路900は、内部電源電圧Voutを出力する。電圧補助回路100は、コンパレータ7、コンデンサ8、トランジスタ3、4、9、および定電流源1を含む。ノードZ0の電圧(Vout)が急激に降下した場合、コンパレータ7の正入力の電位がコンデンサ8により低下するため、トランジスタ9がオンする。これにより、ノードZ0が充電される。一方、コンパレータ7の正入力の電位は、トランジスタ4により充電されるため、トランジスタ9がオフする。この結果、ノードZ0に対する充電が終了する。

請求項（抜粋）：

内部電源電圧の変化を補う電圧補助回路であって、前記内部電源電圧の微分成分を検出する検出手段と、前記内部電源電圧の微分成分と基準電位とを比較する比較手段と、前記比較結果に応答して、前記内部電源電圧の電位を補う補助手段とを備える、電圧補助回路。

IPC (3件)：

G05F 1/613 310 ,  G11C 11/413 ,  G11C 11/407

FI (3件)：

G05F 1/613 310 ,  G11C 11/34 335 A ,  G11C 11/34 354 F

Fターム (24件)：

5B015AA02 ,  5B015AA07 ,  5B015BA54 ,  5B015CA03 ,  5B015CA04 ,  5B015CA22 ,  5B024AA03 ,  5B024AA15 ,  5B024BA27 ,  5B024CA07 ,  5H430BB01 ,  5H430BB05 ,  5H430BB09 ,  5H430BB11 ,  5H430CC02 ,  5H430EE06 ,  5H430EE18 ,  5H430FF03 ,  5H430FF13 ,  5H430GG04 ,  5H430HH03 ,  5H430JJ01 ,  5H430JJ07 ,  5H430LB06