特許
J-GLOBAL ID：200903026853561864
プラズマCVD装置、およびプラズマCVDによる薄膜形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
飯阪 泰雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-137255
公開番号（公開出願番号）：特開平8-311654
出願日： 1995年05月10日
公開日（公表日）： 1996年11月26日
要約：
【要約】[目的] シャワープレートが長期間の使用によっても変形せず、薄膜を均一な膜厚で安定して形成させ得るプラズマCVD装置、およびプラズマCVDによる薄膜形成方法を提供すること。[構成] 真空チャンバ19は、ガス導入パイプ24を備えカソードとなる上蓋としての電極フランジ11と容器部分16とからなり、真空チャンバ19内においてアノードとなるサセプタ18に被処理体Sが載置される。反応ガスを導入しRF電源でプラズマを励起させる成膜時、およびエッチングガスを導入しRF電源でプラズマを励起させるエッチング時のみ、エアシリンダ3に直結したプッシュピン4によってシャワープレート13を押付フランジ1に押し付けて固定する。
請求項（抜粋）：
真空チャンバ内に被処理体をセットし、多数の開孔を有するシャワープレートから反応ガスを流し込みプラズマを励起させて被処理体に薄膜を形成させ、成膜後に前記被処理体を取り外してエッチングガスを流し込みプラズマを励起させて前記真空チャンバ内をエッチングするプラズマCVD装置において、反応ガスおよびエッチングガスを流している時にシャワープレートを固定する機構が設けられていることを特徴とするプラズマCVD装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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