特許

J-GLOBAL ID：200903026854297192

薄膜EL素子の駆動方法および装置

発明者： 井上 智 ,  野間 幹弘 ,  三上 明義
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 西教 圭一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-132272
公開番号（公開出願番号）：特開平8-328501
出願日： 1995年05月30日
公開日（公表日）： 1996年12月13日
要約：

【要約】【目的】 薄膜EL素子のEL発光層と電気絶縁層との界面に残留する電荷に起因した発光輝度の印加電圧に対するヒステリシス現象をなくすこと。【構成】 一対の電極間にEL発光層と電気絶縁層とが重ねられて介在された構成を有するいわゆるメモリ機能付き薄膜EL素子を駆動するにあたり、その電極間にEL発光層の発光開始電圧以上の駆動電圧を印加した後、その駆動電圧とは逆極性であってかつほぼ発光開始電圧である残留電荷打消し用電圧を印加する。

請求項（抜粋）：

一対の電極間に、EL発光層と電気絶縁層とが重ねられて介在される薄膜EL素子の駆動方法において、電極間に、EL発光層の発光開始電圧以上の駆動電圧を印加した後に、その駆動電圧とは逆極性であってかつほぼ発光開始電圧である残留電荷打消し用電圧を印加することを特徴とする薄膜EL素子の駆動方法。