特許
J-GLOBAL ID：200903026859319160
半導体発光素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鳥居 洋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-040209
公開番号（公開出願番号）：特開平10-242518
出願日： 1997年02月25日
公開日（公表日）： 1998年09月11日
要約：
【要約】【課題】 この発明は、外部量子効率が優れ且つ特性劣化がない半導体発光素子を提供することをその目的とする。【解決手段】 この発明は、絶縁性基板1上にn型窒化ガリウム系化合物半導体層2と、p型窒化ガリウム系化合物半導体層3とが積層され、p型窒化ガリウム化合物半導体層3側を発光観測面とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子であって、p型窒化ガリウム系化合物半導体層3表面のほぼ全面に設けられた透光性電極11と、この透光性電極11の一部に設けられp型窒化ガリウム系化合物半導体層表面3が露出する窓部14と、この窓部14の周縁部に設けられ透光性電極11及びp型窒化ガリウム系化合物半導体層3とオーッミク接触する金属15と、この金属15を含んでp型窒化ガリウム系化合物半導体層3と接触するパッド電極16と、を備えた。
請求項（抜粋）：
発光観測面側の半導体層表面のほぼ全面に設けられた透光性電極と、この透光性電極の一部に設けられ前記半導体層表面が露出する窓部と、この窓部の周縁部に設けられ前記透光性電極及び前記半導体層とオーミック接触する金属層と、この金属層を含んで前記半導体層と接触するパッド電極と、を備えたことを特徴とする半導体発光素子。
FI (2件)：
H01L 33/00 E
, H01L 33/00 C
