特許

J-GLOBAL ID：200903026867876388

誘電体媒質に開口を作成する方法、基板の上に設けられた誘電率の低い層に開口を作成する方法、多重チップ・モジュールのフルオロカーボン重合体層の上にウィンドウを作成する方法、誘電体層のバイア面の周りに形成された誘電体の稜部を取り除く方法、誘電体層に開口を作成する方法、誘電体オーバレイ、オーバレイ、及び集積回路チップのための回路パッケージ

発明者： ロバート・ジョン・ウォジュナロースキイ ,  ハーバート・スタンレイ・コール ,  リチャード・ジョセフ・サイア ,  トーマス・バート・ゴルクズィカ ,  アーネスト・ウェイン・バルク
出願人/特許権者： ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ
代理人 (1件)： 生沼 徳二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-013343
公開番号（公開出願番号）：特開平7-007102
出願日： 1994年02月07日
公開日（公表日）： 1995年01月10日
要約：

【要約】【目的】 レーザを吸収しない材料のパターン決めができるようにする誘電体媒質に開口を作成する方法を提供する。【構成】 吸光率が同じではない誘電体をパターン決めする差別的な削摩方式が、その波長では非吸光性の誘電体18の上に、特定のレーザ波長で吸光性である誘電体20を用いる。吸光性の誘電体20はレーザによってパターン決めすることができ、一体のマスクとなって、その下方にある非吸光性の誘電体18のプラズマ・エッチングができるようにする。吸光性の誘電体20のパターン決めがバイアを含む場合、レーザによるパターン決めの際にバイアの面の周りに形成された重合体の稜部は、透明な耐酸素プラズマ・マスクを用いて、その下方にある非吸光性の誘電体20がエッチングされるのと同時に除去することができる。吸光性誘電体の代わりに不活性マスクを用いて、非吸光性の誘電体18のプラズマ・エッチングを行うことができる。

請求項（抜粋）：

それ自体は所定のレーザ波長でレーザにより削摩可能でない誘電体媒質に開口を作成する方法であって、前記誘電体媒質として第1の誘電体層を設ける工程と、前記第1の誘電体層の上に、前記所定のレーザ波長でレーザによる削摩が可能である第2の誘電体層を設ける工程と、前記第2の誘電体層に開口をレーザにより削摩する工程と、前記第2の誘電体層にある前記開口と整合して前記第1の誘電体層に開口を設ける工程とを備えた誘電体媒質に開口を作成する方法。

IPC (3件)：

H01L 23/12 ,  H01L 23/12 301 ,  H01L 21/268