特許

J-GLOBAL ID：200903026883966281

半導体装置およびその製造方法

発明者： 松尾 美恵 ,  岡野 晴雄 ,  早坂 伸夫 ,  須黒 恭一 ,  宮島 秀史 ,  和田 純一
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-183880
公開番号（公開出願番号）：特開平6-097160
出願日： 1993年07月26日
公開日（公表日）： 1994年04月08日
要約：

【要約】【目的】本発明は、不純物等に起因する電気抵抗の増大を招かずに、EM耐性,SM耐性に優れた電極または金属配線の形成工程を有する半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。【構成】基板上に標準自由化エネルギーの低下が水素または炭素の酸化物よりも小さい金属酸化膜を形成する工程と、この基板に水素または炭素を含む還元ガス雰囲気中で熱処理を施すことにより前記金属酸化膜を還元して前記金属酸化膜を構成する主たる金属からなる電極または配線を形成する工程とを具備することを特徴としている。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成された絶縁膜上に標準自由エネルギーの低下が水素または炭素の酸化物の標準自由エネルギーの低下より小さい金属酸化物からなる金属酸化膜を形成する工程と、前記金属酸化膜を還元して前記金属酸化物を構成する主たる金属からなる電極配線層を形成する工程と、を具備する半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/28 301

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-026052
  
• 特開昭63-156341
  
• 特開平2-026052