特許

J-GLOBAL ID：200903026887759566

ダイヤモンドFETの製造方法

発明者： 西林 良樹 ,  藤森 直治
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 柴田 康夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-180898
公開番号（公開出願番号）：特開平5-029609
出願日： 1991年07月22日
公開日（公表日）： 1993年02月05日
要約：

【要約】【目的】 ダイヤモンドFETを、簡便にかつ確実に製造する方法を提供する。【構成】 ソース電極、ドレイン電極およびゲート電極を形成する工程において、ソース電極およびドレイン電極の形状に選択成長用マスク材料層を第1ダイヤモンド層上に形成し、第2ダイヤモンド層を成長初期よりも成長終期において幅が太くなるように形成した後に、マスク材料層を除去し、ソース電極、ドレイン電極およびゲート電極を形成することを特徴とするダイヤモンドFETの製造方法。

請求項（抜粋）：

第1ダイヤモンド層、第1ダイヤモンド層の上の第2ダイヤモンド層を有し、ソース電極およびドレイン電極が第1ダイヤモンド層上にあり、ゲート電極が第2ダイヤモンド層上にあるダイヤモンドFETの製造方法であって、ソース電極、ドレイン電極およびゲート電極を形成する工程において、ソース電極およびドレイン電極の形状に選択成長用マスク材料層を第1ダイヤモンド層上に形成し、第2ダイヤモンド層を成長初期よりも成長終期において幅が太くなるように形成した後に、マスク材料層を除去し、ソース電極、ドレイン電極およびゲート電極を形成することを特徴とするダイヤモンドFETの製造方法。

IPC (2件)：

H01L 29/784 ,  H01L 29/804

FI (3件)：

H01L 29/78 301 B ,  H01L 29/78 311 B ,  H01L 29/80 A