特許

J-GLOBAL ID：200903026893363283

半導体レーザ素子及びその製造方法

発明者： 大久保 伸洋 ,  斉藤 肇
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 小池 隆彌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-021035
公開番号（公開出願番号）：特開2000-223778
出願日： 1999年01月29日
公開日（公表日）： 2000年08月11日
要約：

【要約】【課題】 層厚のウェハ面内分布が存在しても、安定したリッジストライプ幅の制御を可能とする。【解決手段】 第一導電型の基板上に、第一導電型の第一クラッド層、活性層、第二導電型の第二クラッド層、第二導電型の第三クラッド層にリッジ状のストライプを有し、該リッジストライプの開口を有する第一導電型の電流狭窄層を有する半導体レーザにおいて、前記第三クラッド層のリッジストライプの側面が、(111)面方位と(1-1-1)面方位とにより挟まれている領域、及び(111)面方位と(111)面方位とにより挟まれている領域と、を有してなることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

第一導電型の基板上に、第一導電型の第一クラッド層、活性層、第二導電型の第二クラッド層、第二導電型の第三クラッド層にリッジ状のストライプを有し、該リッジストライプの開口を有する第一導電型の電流狭窄層を有する半導体レーザにおいて、前記第三クラッド層のリッジストライプの側面が、(111)面方位と(1-1-1)面方位とにより挟まれている領域、及び(111)面方位と(111)面方位とにより挟まれている領域と、を有してなることを特徴とする半導体レーザ素子。

Fターム (8件)：

5F073AA13 ,  5F073AA53 ,  5F073AA74 ,  5F073CA04 ,  5F073CB07 ,  5F073DA05 ,  5F073DA23 ,  5F073EA29