特許
J-GLOBAL ID：200903026897412670
不揮発性記憶素子およびこれを利用した不揮発性記憶装置、ならびに不揮発性記憶素子の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
稲岡 耕作 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-065245
公開番号（公開出願番号）：特開平5-267687
出願日： 1992年03月23日
公開日（公表日）： 1993年10月15日
要約：
【要約】【目的】誤読み出しを起こさない不揮発性記憶素子を提供する。【構成】半導体基板40にチャネル領域41を挟んで形成されたソース領域42およびドレイン領域43と、チャネル領域41上に強誘電体ゲート絶縁膜32を介して設けられたゲート電極44とを有するスイッチングトランジスタ33と、スイッチングトランジスタ33のソース領域42にバリアメタル45を接触させて形成されたショットキーダイオード34とから、不揮発性メモリセル31を構成する。
請求項（抜粋）：
半導体基板にチャネル領域を挟んで形成されたソース領域およびドレイン領域と、チャネル領域上に電荷を蓄積する強誘電体膜を介して設けられたゲート電極とを有するスイッチングトランジスタと、スイッチングトランジスタのソース領域にバリアメタルを接触させて形成されたショットキーダイオードとを備えていることを特徴とする不揮発性記憶素子。
IPC (4件)：
H01L 29/788
, H01L 29/792
, G11C 16/02
, H01L 27/115
H01L 29/78 371
, G11C 17/00 307 B
, H01L 27/10 434
